10 мая исполняется 120 лет со дня рождения Лосева Олега Владимировича – выдающегося советского радиофизика, изобретателя, одного из основоположников полупроводниковой электроники в России. Он является автором первых научных трудов, описывающих процессы, происходящие в поверхностных слоях полупроводника. Внес большой вклад в исследование электролюминесценции в твердых полупроводниках.
Благодаря физику Олегу Лосеву у СССР был шанс создать полупроводниковые технологии намного раньше, чем США. Анализ истории отечественной науки однозначно свидетельствует в пользу того, что при более удачном стечении обстоятельств Советский Союз мог бы опередить остальной мир в этом вопросе.
Лосев Олег Владимирович родился 10 мая 1903 года в городе Тверь. Уже в раннем возрасте у него проявлялась склонность к физике и технике. В 1917 году, будучи еще школьником, он попал на публичную лекцию начальника Тверской радиостанции В. М. Лещинского, посвященную достижениям в радиотехнике. Лекция произвела большое впечатление на юношу, и он еще сильнее увлекся радиотехникой.
После окончания Тверского реального училища в 1920 году он поступил на работу в Нижегородскую радиолабораторию, где его научным руководителем стал В. К. Лебединский. В это время Лосев занимался исследованием эффекта усиления электрического сигнала в полупроводниках и созданием первого в мире полупроводникового усилителя и генератора.
В 1922 году он открыл генерирование высокочастотных электрических колебаний кристаллическими детекторами, то есть изобрел «Кристадин» (образованное из сочетания КРИСТАлл+гетероДИН) – радиоприемник, в котором усиление принимаемых сигналов осуществлялось только за счет данного элемента. Это был подлинный триумф, популярные брошюры о кристадине расходились массовыми тиражами, а когда их перевели на английский и немецкий, Лосев получил широкое признание в Европе.
Французский журнал писал: «Научная слава ожидает Лосева. Он обнародовал свое открытие, думая прежде всего о своих друзьях – радиолюбителях всего мира».
В 1925–
В 1927 году обнаружил свечение генерирующего полупроводникового кристалла карборунда, так называемое «свечение Лосева».
Летом 1928 года был издан приказ, согласно которому Нижегородская радиолаборатория была передана Центральной радиолаборатории треста заводов слабого тока. В числе других сотрудников О. В. Лосев был переведен в Ленинград, где начал работу в Центральной радиолаборатории.
В 1937 году Лосев устроился на преподавательскую работу в 1-й Ленинградский медицинский институт им. академика И. П. Павлова, а через год, летом 1938 года, ученый совет Индустриального института присвоил ему ученую степень кандидата физико-математических наук. Его результаты исследований были опубликованы в журналах «Телеграфия и телефония без проводов», «Вестник Электротехники», «Доклады АН СССР», «ЖТФ» и ряде других периодических изданий.
Фотография: через Викисклад, File: Oleg losev
8 сентября
Приём на заочное обучение
3 сентября
День солидарности в борьбе с терроризмом
1 сентября
С Днем знаний, СПбГУТ! Поздравление ректора для студентов, преподавателей и сотрудников
31 августа
В СПбГУТ состоялось собрание трудового коллектива и расширенное заседание ученого совета
31 августа
1 сентября СПбГУТ и Т2 запускают собственную именную связь
30 августа
Учебный год в СПбКТ начинается с праздника!
30 августа
СПбГУТ предоставляет участникам СВО и их детям скидку на обучение до 100%
30 августа
Оформление бесплатного проездного для студентов льготных категорий продлится до 15 сентября
30 августа
СПбГУТ открыл набор на переподготовку «Цифровой архитектор бизнес-процессов»
26 августа
Информация об общежитиях
25 августа
Собрание первокурсников!
25 августа
Прием заявлений на перевод с платного обучения на бесплатное в сентябре 2026
21 августа
Приказы о зачислении на места с оплатой стоимости обучения
19 августа
Приказы о зачислении на бюджетные места
10 августа
Прием на платное обучение в СПбКТ продолжается
3 августа
Опубликованы конкурсные списки!
29 июля
Успей подать согласие на зачисление!
22 июня
В СПбКТ проходит итоговая государственная аттестация выпускников
15 июня
Студенты СПбКТ на городском празднике «Россия — любимая наша страна!»
8 июня
Студентка СПбКТ приняла участие в «Мастерской технологического лидерства» в «Сенеже»